BU999. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU999

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU999

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU999 даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 bu999.pdf pdf_icon

BU999

isc Silicon NPN Power Transistor BU999 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 140V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Coll

Другие транзисторы: BU941T, BU941TFI, BU941Z, BU941ZP, BU941ZPFI, BU941ZSM, BU941ZT, BU941ZTFI, 2SC945, BUD44D, BUD44D2, BUD46, BUD46A, BUD47, BUD47A, BUD48, BUD48A