BUF742 Todos los transistores

 

BUF742 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUF742
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 550 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 11 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUF742 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
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BUF742

isc Silicon NPN Power Transistor BUF742DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 400V(Min.)(BR)CEOCollector Saturation Voltage: V = 0.2V(Max) @ I = 0.8ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for electronic lamp ballast circuits switch-modepower supplies applications.ABSOLUTE MAX

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History: STC405D | P307B

 

 
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