BUF742. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUF742

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 11 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUF742

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF742 даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 buf742.pdf pdf_icon

BUF742

isc Silicon NPN Power Transistor BUF742 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 400V(Min.) (BR)CEO Collector Saturation Voltage V = 0.2V(Max) @ I = 0.8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for electronic lamp ballast circuits switch-mode power supplies applications. ABSOLUTE MAX

Другие транзисторы: BUF646, BUF646A, BUF650, BUF653, BUF654, BUF660, BUF672, BUF725D, D882, BUF744, BUH100, BUH1015, BUH1215, BUH150, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313