BUH1215 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUH1215
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 19 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO218
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUH1215
BUH1215 Datasheet (PDF)
buh1215.pdf
BUH1215 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY VERY HIGH SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR3TV AND MONITORS21DESCRIPTIONThe BUH1215 is manufactured usingTO-218Multiepitaxial Mesa technology for cost-effectivehigh performance and uses a Hollow Emitterstructur
buh1215.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUH1215DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits in televisionsand monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
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History: 2N6592
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Liste
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