BUH1215 Todos los transistores

 

BUH1215 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUH1215
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 19 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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BUH1215 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  st
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BUH1215

BUH1215 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY VERY HIGH SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR3TV AND MONITORS21DESCRIPTIONThe BUH1215 is manufactured usingTO-218Multiepitaxial Mesa technology for cost-effectivehigh performance and uses a Hollow Emitterstructur

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
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BUH1215

isc Silicon NPN Power Transistor BUH1215DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits in televisionsand monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

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