Биполярный транзистор BUH1215 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUH1215
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO218
BUH1215 Datasheet (PDF)
buh1215.pdf
BUH1215 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY VERY HIGH SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR3TV AND MONITORS21DESCRIPTIONThe BUH1215 is manufactured usingTO-218Multiepitaxial Mesa technology for cost-effectivehigh performance and uses a Hollow Emitterstructur
buh1215.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUH1215DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits in televisionsand monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050