BUH1215. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUH1215

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BUH1215

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH1215 даташит

 ..1. Size:74K  st
 buh1215.pdf pdf_icon

BUH1215

BUH1215 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 3 TV AND MONITORS 2 1 DESCRIPTION The BUH1215 is manufactured using TO-218 Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance and uses a Hollow Emitter structur

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 buh1215.pdf pdf_icon

BUH1215

isc Silicon NPN Power Transistor BUH1215 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in televisions and monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

Другие транзисторы: BUF654, BUF660, BUF672, BUF725D, BUF742, BUF744, BUH100, BUH1015, 2N3906, BUH150, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313, BUH313D, BUH315, BUH315D, BUH315DXI