BUH2M20P Todos los transistores

 

BUH2M20P . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUH2M20P
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 2000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 900 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUH2M20P Datasheet (PDF)

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BUH2M20P

BUH2M20APHIGH VOLTAGE NPN SILICONPOWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODEOPERATION.APPLICATIONS: DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMICFOCUS IN CTV AND MONITOR. 3DESCRIPTION 21The BUH2M20AP is manufactured usingMultiepitaxial Mesa technology for cost-effectiveTO-220high performance.INTERNAL SCHEMATIC D

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