Справочник транзисторов. BUH2M20P

 

Биполярный транзистор BUH2M20P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUH2M20P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BUH2M20P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH2M20P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:67K  st
 buh2m20.pdf pdf_icon

BUH2M20P

BUH2M20APHIGH VOLTAGE NPN SILICONPOWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODEOPERATION.APPLICATIONS: DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMICFOCUS IN CTV AND MONITOR. 3DESCRIPTION 21The BUH2M20AP is manufactured usingMultiepitaxial Mesa technology for cost-effectiveTO-220high performance.INTERNAL SCHEMATIC D

Другие транзисторы... BUF725D , BUF742 , BUF744 , BUH100 , BUH1015 , BUH1215 , BUH150 , BUH2M20AP , 2SD1047 , BUH313 , BUH313D , BUH315 , BUH315D , BUH315DXI , BUH415DXI , BUH417 , BUH50 .

 

 
Back to Top

 


 
.