BUH2M20P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUH2M20P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUH2M20P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH2M20P даташит

 7.1. Size:67K  st
 buh2m20.pdf pdf_icon

BUH2M20P

BUH2M20AP HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODE OPERATION. APPLICATIONS DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMIC FOCUS IN CTV AND MONITOR. 3 DESCRIPTION 2 1 The BUH2M20AP is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective TO-220 high performance. INTERNAL SCHEMATIC D

Другие транзисторы: BUF725D, BUF742, BUF744, BUH100, BUH1015, BUH1215, BUH150, BUH2M20AP, 2N2222A, BUH313, BUH313D, BUH315, BUH315D, BUH315DXI, BUH415DXI, BUH417, BUH50