Биполярный транзистор BUH2M20P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUH2M20P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
BUH2M20P Datasheet (PDF)
7.1. Size:67K st
buh2m20.pdf
buh2m20.pdf
BUH2M20APHIGH VOLTAGE NPN SILICONPOWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODEOPERATION.APPLICATIONS: DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMICFOCUS IN CTV AND MONITOR. 3DESCRIPTION 21The BUH2M20AP is manufactured usingMultiepitaxial Mesa technology for cost-effectiveTO-220high performance.INTERNAL SCHEMATIC D
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS