BUH415DXI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUH415DXI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: ISOWATT218

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUH415DXI

BUH415DXI Datasheet (PDF)

9.1. Size:213K inchange semiconductor
buh417d.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BDT53 | 2C6193 | 2SC608T | BDT60A | 2N6585 | TSC5303DCH | GS9013E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050