BUH415DXI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUH415DXI
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: ISOWATT218
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUH415DXI
BUH415DXI Datasheet (PDF)
9.1. Size:213K inchange semiconductor
buh417d.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
