BUH415DXI Todos los transistores

 

BUH415DXI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUH415DXI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: ISOWATT218
 

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BUH415DXI Datasheet (PDF)

 9.1. Size:213K  inchange semiconductor
 buh417d.pdf pdf_icon

BUH415DXI

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

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History: UMX5N | 2SC5396

 

 
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