BUH415DXI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUH415DXI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BUH415DXI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH415DXI даташит

 9.1. Size:213K  inchange semiconductor
 buh417d.pdf pdf_icon

BUH415DXI

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417D DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Integrated Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage

Другие транзисторы: BUH150, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313, BUH313D, BUH315, BUH315D, BUH315DXI, BC327, BUH417, BUH50, BUH51, BUH513, BUH515, BUH515D, BUH515DXI, BUH515XI