Биполярный транзистор BUH415DXI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUH415DXI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: ISOWATT218
Аналоги (замена) для BUH415DXI
BUH415DXI Datasheet (PDF)
9.1. Size:213K inchange semiconductor
buh417d.pdf
buh417d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
Другие транзисторы... BUH150 , BUH2M20AP , BUH2M20P , BUH313 , BUH313D , BUH315 , BUH315D , BUH315DXI , 2SD2499 , BUH417 , BUH50 , BUH51 , BUH513 , BUH515 , BUH515D , BUH515DXI , BUH515XI .
