Справочник транзисторов. BUH415DXI

 

Биполярный транзистор BUH415DXI Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUH415DXI
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: ISOWATT218
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH415DXI Datasheet (PDF)

 9.1. Size:213K  inchange semiconductor
 buh417d.pdf pdf_icon

BUH415DXI

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

Другие транзисторы... BUH150 , BUH2M20AP , BUH2M20P , BUH313 , BUH313D , BUH315 , BUH315D , BUH315DXI , BC327 , BUH417 , BUH50 , BUH51 , BUH513 , BUH515 , BUH515D , BUH515DXI , BUH515XI .

 

 
Back to Top

 


 
.