BUH417 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUH417
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 55 W
Tensión colector-base (Vcb): 1700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: ISOWATT218
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUH417
BUH417 Datasheet (PDF)
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isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
