Справочник транзисторов. BUH417

 

Биполярный транзистор BUH417 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUH417
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для BUH417

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH417 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
 buh417d.pdf pdf_icon

BUH417

isc Silicon NPN Power Transistors BUH417DDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh VoltageBuilt-in Integrated DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage

Другие транзисторы... BUH2M20AP , BUH2M20P , BUH313 , BUH313D , BUH315 , BUH315D , BUH315DXI , BUH415DXI , TIP31C , BUH50 , BUH51 , BUH513 , BUH515 , BUH515D , BUH515DXI , BUH515XI , BUH517 .

History: DDTC123YUA | KT216B

 

 
Back to Top

 


 
.