BUH50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUH50
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 800 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUH50
BUH50 Datasheet (PDF)
buh50rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUH50/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUH50Designer's Data SheetPOWER TRANSISTOR4 AMPERESSWITCHMODE NPN Silicon800 VOLTSPlanar Power Transistor50 WATTSThe BUH50 has an application specific stateofart die designed for use in50 Watts HALOGEN electronic transformers and switchmode applications.This high voltage/high speed transistor e
buh50-d.pdf
BUH50GSWITCHMODEt NPNSilicon Planar PowerTransistorThe BUH50G has an application specific state-of-art die designedfor use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and http://onsemi.comSWITCHMODE applications.POWER TRANSISTORFeatures4 AMPERES Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:800 VOLTS, 50 WATTSHigh and Flat DC Current Gain hFEFast Switching
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS