BUH50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUH50

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUH50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUH50 даташит

 0.1. Size:478K  motorola
 buh50rev.pdf pdf_icon

BUH50

Order this document MOTOROLA by BUH50/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUH50 Designer's Data Sheet POWER TRANSISTOR 4 AMPERES SWITCHMODE NPN Silicon 800 VOLTS Planar Power Transistor 50 WATTS The BUH50 has an application specific state of art die designed for use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and switchmode applications. This high voltage/high speed transistor e

 0.2. Size:247K  onsemi
 buh50-d.pdf pdf_icon

BUH50

BUH50G SWITCHMODEt NPN Silicon Planar Power Transistor The BUH50G has an application specific state-of-art die designed for use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and http //onsemi.com SWITCHMODE applications. POWER TRANSISTOR Features 4 AMPERES Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements 800 VOLTS, 50 WATTS High and Flat DC Current Gain hFE Fast Switching

Другие транзисторы: BUH2M20P, BUH313, BUH313D, BUH315, BUH315D, BUH315DXI, BUH415DXI, BUH417, S8550, BUH51, BUH513, BUH515, BUH515D, BUH515DXI, BUH515XI, BUH517, BUH517D