Биполярный транзистор BUH50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUH50
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO220
BUH50 Datasheet (PDF)
buh50rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUH50/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUH50Designer's Data SheetPOWER TRANSISTOR4 AMPERESSWITCHMODE NPN Silicon800 VOLTSPlanar Power Transistor50 WATTSThe BUH50 has an application specific stateofart die designed for use in50 Watts HALOGEN electronic transformers and switchmode applications.This high voltage/high speed transistor e
buh50-d.pdf
BUH50GSWITCHMODEt NPNSilicon Planar PowerTransistorThe BUH50G has an application specific state-of-art die designedfor use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and http://onsemi.comSWITCHMODE applications.POWER TRANSISTORFeatures4 AMPERES Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:800 VOLTS, 50 WATTSHigh and Flat DC Current Gain hFEFast Switching
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS