BUL810 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUL810
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO218
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUL810
BUL810 Datasheet (PDF)
bul810.pdf
BUL810High voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Low base-drive requirements Very high switching speed Fully characterized at 125 C321ApplicationsTO-247 Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballast for fluorescent lighting Switch mode power supplies.Fig
bul810.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL810 DESCRIPTION High Voltage Capability High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost swith-mode power supplies. Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballasts for fluorescent lighting Switch mode power supplies ABSOLUTE MA
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050