Справочник транзисторов. BUL810

 

Биполярный транзистор BUL810 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL810
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUL810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  st
 bul810.pdf pdf_icon

BUL810

BUL810High voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Low base-drive requirements Very high switching speed Fully characterized at 125 C321ApplicationsTO-247 Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballast for fluorescent lighting Switch mode power supplies.Fig

 ..2. Size:139K  inchange semiconductor
 bul810.pdf pdf_icon

BUL810

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL810 DESCRIPTION High Voltage Capability High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost swith-mode power supplies. Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballasts for fluorescent lighting Switch mode power supplies ABSOLUTE MA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3681 | 2N1196 | MUN5116DW1T1G | 2SC4321 | 2SA1480E | 2SA909 | 2N4355

 

 
Back to Top

 


 
.