BUL810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL810

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BUL810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL810 даташит

 ..1. Size:215K  st
 bul810.pdf pdf_icon

BUL810

BUL810 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Low base-drive requirements Very high switching speed Fully characterized at 125 C 3 2 1 Applications TO-247 Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballast for fluorescent lighting Switch mode power supplies. Fig

 ..2. Size:139K  inchange semiconductor
 bul810.pdf pdf_icon

BUL810

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL810 DESCRIPTION High Voltage Capability High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost swith-mode power supplies. Electronic transformer for halogen lamps Electronic ballasts for fluorescent lighting Switch mode power supplies ABSOLUTE MA

Другие транзисторы: BUL58B, BUL58D, BUL59A, BUL67, BUL74A, BUL74B, BUL76A, BUL76B, 2N3904, BUL87, BUL98B, BULD138-1, BULD26-1, BULD38-1, BULK26D, BULK381, BULK382