BUP52 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUP52

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUP52

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUP52 datasheet

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
bup52.pdf pdf_icon

BUP52

isc Silicon NPN Power Transistor BUP52 DESCRIPTION High DC Current Gain- h >20@I = 20A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ideally suited for Motor Control, Switching and Linear Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Otros transistores... BUP44, BUP45, BUP46, BUP47, BUP48, BUP49, BUP50, BUP51, 2SD313, BUP53, BUP54, BUP56, BUP57, BUP58, BUP59, BUPD1520, BUR10