BUP52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUP52

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUP52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUP52 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 bup52.pdf pdf_icon

BUP52

isc Silicon NPN Power Transistor BUP52 DESCRIPTION High DC Current Gain- h >20@I = 20A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ideally suited for Motor Control, Switching and Linear Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: BUP44, BUP45, BUP46, BUP47, BUP48, BUP49, BUP50, BUP51, 2SD313, BUP53, BUP54, BUP56, BUP57, BUP58, BUP59, BUPD1520, BUR10