BUR20 Todos los transistores

 

BUR20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUR20
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUR20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50AFE CLow Saturation Voltage-V )= 1.0V(Max)@ I = 25ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power amplifier and switchingcircuits applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Otros transistores... BUP59 , BUPD1520 , BUR10 , BUR11 , BUR12 , BUR13 , BUR14 , BUR15 , S9013 , BUR21 , BUR22 , BUR23 , BUR24 , BUR30 , BUR31 , BUR32 , BUR33 .

History: ST8035 | BFP193W | DTC123JM3 | SE8542

 

 
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