BUR20 Todos los transistores

 

BUR20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUR20
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUR20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50AFE CLow Saturation Voltage-V )= 1.0V(Max)@ I = 25ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power amplifier and switchingcircuits applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DTC117 | DMG96404 | STBD139T | 2SC3645R | BU526A-8 | 3DD4540_A3 | 3CA5415

 

 
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