BUR20 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUR20

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BUR20 datasheet

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BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20 DESCRIPTION High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 25A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power amplifier and switching circuits applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

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