Справочник транзисторов. BUR20

 

Биполярный транзистор BUR20 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUR20
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUR20

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bur20.pdf pdf_icon

BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50AFE CLow Saturation Voltage-V )= 1.0V(Max)@ I = 25ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power amplifier and switchingcircuits applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Другие транзисторы... BUP59 , BUPD1520 , BUR10 , BUR11 , BUR12 , BUR13 , BUR14 , BUR15 , S9013 , BUR21 , BUR22 , BUR23 , BUR24 , BUR30 , BUR31 , BUR32 , BUR33 .

 

 
Back to Top

 


 
.