Справочник транзисторов. BUR20

 

Биполярный транзистор BUR20 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUR20
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUR20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bur20.pdf pdf_icon

BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50AFE CLow Saturation Voltage-V )= 1.0V(Max)@ I = 25ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power amplifier and switchingcircuits applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MMUN2235 | 3CA1371 | HA9531 | SRA2202EF | BC557BTF | 3DD13002_B1-7 | TN5415A

 

 
Back to Top

 


 
.