BUR20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUR20

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR20

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR20 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bur20.pdf pdf_icon

BUR20

isc Silicon NPN Power Transistor BUR20 DESCRIPTION High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 50A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 25A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power amplifier and switching circuits applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

Другие транзисторы: BUP59, BUPD1520, BUR10, BUR11, BUR12, BUR13, BUR14, BUR15, 13005, BUR21, BUR22, BUR23, BUR24, BUR30, BUR31, BUR32, BUR33