BUR22 Todos los transistores

 

BUR22 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUR22
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUR22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bur22.pdf pdf_icon

BUR22

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 20ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 20AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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