BUR22 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUR22
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUR22

BUR22 Datasheet (PDF)

..1. Size:208K inchange semiconductor
bur22.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 20ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 20AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 3CA5416 | 3DD13003_K8

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050