BUR22 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUR22

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO3

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BUR22 datasheet

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BUR22

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V (Max.) @I = 20A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 10(Min.) @I = 20A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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