BUR22 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUR22
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
BUR22 Datasheet (PDF)
bur22.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 20ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 20AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: BC858AL | PBSS305ND | 2SC2690AY | 2SB887 | BC817-40 | D45VH4 | 2SD126
History: BC858AL | PBSS305ND | 2SC2690AY | 2SB887 | BC817-40 | D45VH4 | 2SD126



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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