BUR22. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUR22

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR22

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR22 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bur22.pdf pdf_icon

BUR22

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V (Max.) @I = 20A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 10(Min.) @I = 20A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы: BUR10, BUR11, BUR12, BUR13, BUR14, BUR15, BUR20, BUR21, 2N4401, BUR23, BUR24, BUR30, BUR31, BUR32, BUR33, BUR34, BUR50