Справочник транзисторов. BUR22

 

Биполярный транзистор BUR22 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUR22
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUR22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bur22.pdf pdf_icon

BUR22

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 20ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 20AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 9018F | PBSS305ND | MP8134 | OC84N | BC817-40 | D45VH4 | ZXTN19055DZ

 

 
Back to Top

 


 
.