Справочник транзисторов. BUR22

 

Биполярный транзистор BUR22 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUR22
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUR22

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bur22.pdf pdf_icon

BUR22

isc Silicon NPN Power Transistor BUR22DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 20ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 20AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы... BUR10 , BUR11 , BUR12 , BUR13 , BUR14 , BUR15 , BUR20 , BUR21 , D880 , BUR23 , BUR24 , BUR30 , BUR31 , BUR32 , BUR33 , BUR34 , BUR50 .

History: 2SC89H | 2SD2635

 

 
Back to Top

 


 
.