BUR50S Todos los transistores

 

BUR50S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUR50S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 350 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 70 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUR50S Datasheet (PDF)

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BUR50S

BUR50SHIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT 1DESCRIPTION 2The BUR50S is a silicon multiepitaxial planarNPN transistors in JEDEC TO-3 metal case,TO-3intented for use in switching and linearapplications in military and ind

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
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BUR50S

isc Silicon NPN Power Transistor BUR50DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 125V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage ,high speed,power switching inInductive circuits where fall time is critical.It is particularlysuited for battery swi

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