BUR50S - описание и поиск аналогов

 

BUR50S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUR50S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR50S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR50S даташит

 ..1. Size:72K  st
 bur50s.pdf pdf_icon

BUR50S

BUR50S HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT 1 DESCRIPTION 2 The BUR50S is a silicon multiepitaxial planar NPN transistors in JEDEC TO-3 metal case, TO-3 intented for use in switching and linear applications in military and ind

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 bur50.pdf pdf_icon

BUR50S

isc Silicon NPN Power Transistor BUR50 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage ,high speed,power switching in Inductive circuits where fall time is critical.It is particularly suited for battery swi

Другие транзисторы: BUR23, BUR24, BUR30, BUR31, BUR32, BUR33, BUR34, BUR50, 2SA1015, BUR51, BUR52, BUR53, BUR54, BUR55, BUR56, BUR60, BUR606

 

 

 

 

↑ Back to Top
.