Биполярный транзистор BUR50S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUR50S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BUR50S Datasheet (PDF)
bur50s.pdf
BUR50SHIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT 1DESCRIPTION 2The BUR50S is a silicon multiepitaxial planarNPN transistors in JEDEC TO-3 metal case,TO-3intented for use in switching and linearapplications in military and ind
bur50.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUR50DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 125V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage ,high speed,power switching inInductive circuits where fall time is critical.It is particularlysuited for battery swi
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
