BUS11-6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUS11-6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BUS11-6
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BUS11-6 datasheet
bus11 a.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS11/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS11 450V (Min)-BUS11A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER
Otros transistores... BUR608, BUR608D, BUR61, BUR62, BUR806, BUR807, BUS11, BUS11-4, BD333, BUS11A, BUS11B, BUS12, BUS12-4, BUS12-6, BUS12A, BUS12B, BUS13
History: BUS50 | BCY19
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor
