BUS11-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUS11-6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUS11-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS11-6 даташит

 9.1. Size:77K  inchange semiconductor
 bus11 a.pdf pdf_icon

BUS11-6

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS11/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS11 450V (Min)-BUS11A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: BUR608, BUR608D, BUR61, BUR62, BUR806, BUR807, BUS11, BUS11-4, BD333, BUS11A, BUS11B, BUS12, BUS12-4, BUS12-6, BUS12A, BUS12B, BUS13