BUS11B Todos los transistores

 

BUS11B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUS11B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUS11B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  inchange semiconductor
 bus11 a.pdf pdf_icon

BUS11B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS11/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS11 450V (Min)-BUS11A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

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History: EFT333 | FMMT591DCSM | 2N5026 | 2N68-13 | BU2720AX | RCA1A15 | 2N5052SM

 

 
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