Справочник транзисторов. BUS11B

 

Биполярный транзистор BUS11B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUS11B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUS11B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS11B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:77K  inchange semiconductor
 bus11 a.pdf pdf_icon

BUS11B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUS11/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V (Min)-BUS11 450V (Min)-BUS11A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... BUR61 , BUR62 , BUR806 , BUR807 , BUS11 , BUS11-4 , BUS11-6 , BUS11A , 2SC5200 , BUS12 , BUS12-4 , BUS12-6 , BUS12A , BUS12B , BUS13 , BUS13-5 , BUS13-6 .

History: ZT1489 | MT3S15TU

 

 
Back to Top

 


 
.