BUT102 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT102

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BUT102 datasheet

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BUT102

BUT100 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATION MOTOR CONTROL 1 UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY 2 DESCRIPTION The BUT100 is a Multiepitaxial Planar NPN TO-3 Transistor in TO-3 package. It is intended for use (version " S ") in high frequency and efficency

 9.2. Size:226K  inchange semiconductor
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BUT102

isc Silicon NPN Power Transistor BUT100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min.) CEO(SUS) Hight Current Capability Hight Ruggedness Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor Control Uninterruptable Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

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