BUT102 Todos los transistores

 

BUT102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUT102
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUT102 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:64K  st
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BUT102

BUT100HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATION MOTOR CONTROL1 UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY2DESCRIPTION The BUT100 is a Multiepitaxial Planar NPNTO-3Transistor in TO-3 package. It is intended for use(version " S ")in high frequency and efficency

 9.2. Size:226K  inchange semiconductor
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BUT102

isc Silicon NPN Power Transistor BUT100DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 125V(Min.)CEO(SUS)Hight Current CapabilityHight RuggednessMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor ControlUninterruptable Power SupplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collec

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