BUT102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT102

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUT102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT102 даташит

 9.1. Size:64K  st
 but100.pdf pdf_icon

BUT102

BUT100 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATION MOTOR CONTROL 1 UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLY 2 DESCRIPTION The BUT100 is a Multiepitaxial Planar NPN TO-3 Transistor in TO-3 package. It is intended for use (version " S ") in high frequency and efficency

 9.2. Size:226K  inchange semiconductor
 but100.pdf pdf_icon

BUT102

isc Silicon NPN Power Transistor BUT100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min.) CEO(SUS) Hight Current Capability Hight Ruggedness Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Motor Control Uninterruptable Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

Другие транзисторы: BUS50, BUS51, BUS52, BUS97, BUS97A, BUS98, BUS98A, BUT100, 2SC2655, BUT11, BUT11-5, BUT11-6, BUT11-7, BUT11A, BUT11AF, BUT11AFI, BUT11AX