BUT76 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT76

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 110 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 150 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 3.2

Encapsulados: TO220

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BUT76 datasheet

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BUT76

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT76 BUT76A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply Motor control and relay driver PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=25 )

 0.1. Size:101K  inchange semiconductor
 but76af.pdf pdf_icon

BUT76

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT76AF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply, inverters, motor control and relay driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 10

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