BUT76. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT76

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3.2

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUT76

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT76 даташит

 ..1. Size:119K  inchange semiconductor
 but76 but76a.pdf pdf_icon

BUT76

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT76 BUT76A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply Motor control and relay driver PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=25 )

 0.1. Size:101K  inchange semiconductor
 but76af.pdf pdf_icon

BUT76

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT76AF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply, inverters, motor control and relay driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 10

Другие транзисторы: BUT60, BUT62, BUT70, BUT70I, BUT71, BUT71I, BUT72, BUT72I, 2SC2073, BUT76A, BUT90, BUT91, BUT92, BUT92A, BUT93, BUV10N, BUV11