Биполярный транзистор BUT76 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUT76
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3.2
Корпус транзистора: TO220
BUT76 Datasheet (PDF)
but76 but76a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT76 BUT76A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply Motor control and relay driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=25)
but76af.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT76AF DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply, inverters, motor control and relay driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector-Emitter Voltage 10
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
