BUT93 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT93

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220

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BUT93 datasheet

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BUT93

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT93 DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply and electronic ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VCEO Collector-Em

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