BUT93. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT93

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUT93

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT93 даташит

 ..1. Size:262K  inchange semiconductor
 but93.pdf pdf_icon

BUT93

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT93 DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply and electronic ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VCEO Collector-Em

Другие транзисторы: BUT72, BUT72I, BUT76, BUT76A, BUT90, BUT91, BUT92, BUT92A, MJE340, BUV10N, BUV11, BUV11CECC, BUV11N, BUV12, BUV18, BUV18X, BUV19