BUV10N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV10N
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUV10N
BUV10N Datasheet (PDF)
9.1. Size:236K inchange semiconductor
buv10.pdf
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION High Switching Speed High Current Capability APPLICATIONS Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEX Collector-Emitter Voltage 160 VVBE= -1.5V Coll
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
