BUV10N Todos los transistores

 

BUV10N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV10N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUV10N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:236K  inchange semiconductor
 buv10.pdf pdf_icon

BUV10N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION High Switching Speed High Current Capability APPLICATIONS Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEX Collector-Emitter Voltage 160 VVBE= -1.5V Coll

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