BUV10N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV10N

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUV10N datasheet

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BUV10N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION High Switching Speed High Current Capability APPLICATIONS Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEX Collector-Emitter Voltage 160 V VBE= -1.5V Coll

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