BUV10N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUV10N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUV10N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BUV10N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV10N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:236K  inchange semiconductor
 buv10.pdf pdf_icon

BUV10N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION High Switching Speed High Current Capability APPLICATIONS Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEX Collector-Emitter Voltage 160 VVBE= -1.5V Coll

Другие транзисторы... BUT72I , BUT76 , BUT76A , BUT90 , BUT91 , BUT92 , BUT92A , BUT93 , 2SA1837 , BUV11 , BUV11CECC , BUV11N , BUV12 , BUV18 , BUV18X , BUV19 , BUV1O .

History: DTC015EUB | HEPS0015 | 2SB1213 | NTE2342 | KN4400

 

 
Back to Top

 


 
.