BUV10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV10N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV10N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV10N даташит

 9.1. Size:236K  inchange semiconductor
 buv10.pdf pdf_icon

BUV10N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV10 DESCRIPTION High Switching Speed High Current Capability APPLICATIONS Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEX Collector-Emitter Voltage 160 V VBE= -1.5V Coll

Другие транзисторы: BUT72I, BUT76, BUT76A, BUT90, BUT91, BUT92, BUT92A, BUT93, 2SC1815, BUV11, BUV11CECC, BUV11N, BUV12, BUV18, BUV18X, BUV19, BUV1O