BUV11CECC Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV11CECC

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUV11CECC datasheet

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BUV11CECC

Order this document MOTOROLA by BUV11/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUV11 SWITCHMODE Series 20 AMPERES NPN Silicon Power Transistor NPN SILICON POWER . . . designed for high current, high speed, high power applications. METAL TRANSISTOR High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A 200 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A 150 WATTS Very fast switc

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BUV11CECC

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.6V (Max.) @IC= 6A High Switching Speed High DC Current Gain- hFE= 20(Min.) @IC= 6A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER V

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