BUV11CECC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV11CECC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV11CECC

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV11CECC даташит

 9.1. Size:138K  motorola
 buv11rev.pdf pdf_icon

BUV11CECC

Order this document MOTOROLA by BUV11/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUV11 SWITCHMODE Series 20 AMPERES NPN Silicon Power Transistor NPN SILICON POWER . . . designed for high current, high speed, high power applications. METAL TRANSISTOR High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A 200 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A 150 WATTS Very fast switc

 9.2. Size:77K  inchange semiconductor
 buv11.pdf pdf_icon

BUV11CECC

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.6V (Max.) @IC= 6A High Switching Speed High DC Current Gain- hFE= 20(Min.) @IC= 6A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER V

Другие транзисторы: BUT76A, BUT90, BUT91, BUT92, BUT92A, BUT93, BUV10N, BUV11, A940, BUV11N, BUV12, BUV18, BUV18X, BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21