BUV12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV12

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUV12 datasheet

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BUV12

isc Silicon NPN Power Transistor BUV12 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V (Max.) @I = 6A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 20(Min.) @I = 6A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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