BUV12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV12

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV12 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 buv12.pdf pdf_icon

BUV12

isc Silicon NPN Power Transistor BUV12 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V (Max.) @I = 6A CE(sat) C High Switching Speed High DC Current Gain- h = 20(Min.) @I = 6A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы: BUT91, BUT92, BUT92A, BUT93, BUV10N, BUV11, BUV11CECC, BUV11N, 2SA1837, BUV18, BUV18X, BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21, BUV21N, BUV22