Биполярный транзистор BUV12 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV12
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BUV12 Datasheet (PDF)
..1. Size:212K inchange semiconductor
buv12.pdf
buv12.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUV12DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.) @I = 6ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 6AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050