Справочник транзисторов. BUV12

 

Биполярный транзистор BUV12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUV12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 buv12.pdf pdf_icon

BUV12

isc Silicon NPN Power Transistor BUV12DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.) @I = 6ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 6AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы... BUT91 , BUT92 , BUT92A , BUT93 , BUV10N , BUV11 , BUV11CECC , BUV11N , BC546 , BUV18 , BUV18X , BUV19 , BUV1O , BUV20 , BUV21 , BUV21N , BUV22 .

History: 2N1779 | 2N4234 | 2N5819

 

 
Back to Top

 


 
.