BUV25 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV25

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV25

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV25 datasheet

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv25.pdf pdf_icon

BUV25

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V (Max.)@I = 4A CE(sat) C High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 500V (Min.) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power switching applications in military and indus

Otros transistores... BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21, BUV21N, BUV22, BUV23, BUV24, SS8050, BUV26, BUV26A, BUV26F, BUV26FI, BUV27, BUV27A, BUV27F, BUV27FI