BUV25 Todos los transistores

 

BUV25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV25
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BUV25

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUV25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
buv25.pdf pdf_icon

BUV25

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.)@I = 4ACE(sat) CHigh Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V (Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power switching applications in militaryand indus

Otros transistores... BUV19 , BUV1O , BUV20 , BUV21 , BUV21N , BUV22 , BUV23 , BUV24 , A1013 , BUV26 , BUV26A , BUV26F , BUV26FI , BUV27 , BUV27A , BUV27F , BUV27FI .

History: BFS20W

 

 
Back to Top

 


 
.