BUV25 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV25
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de BUV25
BUV25 Datasheet (PDF)
buv25.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.)@I = 4ACE(sat) CHigh Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V (Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power switching applications in militaryand indus
Otros transistores... BUV19 , BUV1O , BUV20 , BUV21 , BUV21N , BUV22 , BUV23 , BUV24 , A1013 , BUV26 , BUV26A , BUV26F , BUV26FI , BUV27 , BUV27A , BUV27F , BUV27FI .
History: BFS20W
History: BFS20W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet