BUV25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV25

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV25 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv25.pdf pdf_icon

BUV25

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V (Max.)@I = 4A CE(sat) C High Power Dissipation Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 500V (Min.) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power switching applications in military and indus

Другие транзисторы: BUV19, BUV1O, BUV20, BUV21, BUV21N, BUV22, BUV23, BUV24, SS8050, BUV26, BUV26A, BUV26F, BUV26FI, BUV27, BUV27A, BUV27F, BUV27FI