BUV25 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUV25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUV25
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BUV25

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv25.pdf pdf_icon

BUV25

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.)@I = 4ACE(sat) CHigh Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V (Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power switching applications in militaryand indus

Другие транзисторы... BUV19 , BUV1O , BUV20 , BUV21 , BUV21N , BUV22 , BUV23 , BUV24 , A1013 , BUV26 , BUV26A , BUV26F , BUV26FI , BUV27 , BUV27A , BUV27F , BUV27FI .

History: 2N5822 | 2N4959 | 2N5401YTA

 

 
Back to Top

 


 
.