Справочник транзисторов. BUV25

 

Биполярный транзистор BUV25 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV25
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUV25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv25.pdf pdf_icon

BUV25

isc Silicon NPN Power Transistor BUV25DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V (Max.)@I = 4ACE(sat) CHigh Power DissipationCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V (Min.)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power switching applications in militaryand indus

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: FCS9011E | DTC123YN3 | DTA024EEB | DRC3A43X | ZTX454 | KRC407V | BF393

 

 
Back to Top

 


 
.