BUV39 Todos los transistores

 

BUV39 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV39
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUV39 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv39.pdf pdf_icon

BUV39

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCEV Collector-Emitter Voltage 160 VVB

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: AD148-5 | NA11EI | DDTA123TCA | 2N5932 | BCW60FN | BU931ZT | K2111A

 

 
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