BUV39 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV39

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 90 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV39

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV39 datasheet

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv39.pdf pdf_icon

BUV39

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 160 V VB

Otros transistores... BUV296AV, BUV298AV, BUV298CV, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, 2SC2240, BUV40, BUV406, BUV41, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI