Справочник транзисторов. BUV39

 

Биполярный транзистор BUV39 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV39
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUV39

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV39 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv39.pdf pdf_icon

BUV39

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCEV Collector-Emitter Voltage 160 VVB

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.