BUV39. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV39

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV39

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV39 даташит

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv39.pdf pdf_icon

BUV39

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 160 V VB

Другие транзисторы: BUV296AV, BUV298AV, BUV298CV, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, 2SC2240, BUV40, BUV406, BUV41, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI