BUV39 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUV39 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUV39
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BUV39

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV39 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv39.pdf pdf_icon

BUV39

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV39 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCEV Collector-Emitter Voltage 160 VVB

Другие транзисторы... BUV296AV , BUV298AV , BUV298CV , BUV298V , BUV30 , BUV36 , BUV36A , BUV37 , D882P , BUV40 , BUV406 , BUV41 , BUV42 , BUV42A , BUV46 , BUV46A , BUV46AFI .

History: BULD138-1 | 2N2219AQF | BD606 | 2SC4050 | BULD38-1 | BD599

 

 
Back to Top

 


 
.