BUV41 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV41

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV41

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV41 datasheet

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv41.pdf pdf_icon

BUV41

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV41 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 3A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 300 V VBE=

Otros transistores... BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406, BC639, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI, BUV47, BUV47A