BUV41. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV41

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV41

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV41 даташит

 ..1. Size:242K  inchange semiconductor
 buv41.pdf pdf_icon

BUV41

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV41 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 3A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 300 V VBE=

Другие транзисторы: BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406, BC639, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI, BUV47, BUV47A