BUV48AF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV48AF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 250 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de BUV48AF

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV48AF datasheet

 0.1. Size:217K  inchange semiconductor
 buv48afi.pdf pdf_icon

BUV48AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUV48AFI DESCRIPTION High Voltage Capability High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ulary suited for line-operated switc

 8.1. Size:109K  st
 buv48a.pdf pdf_icon

BUV48AF

BUV48A High voltage fast switching NPN power transistor Features High current capability Fast switching speed Applications Switching mode power supplies 3 Flyback and forward single transistor low power 2 1 converter TO-247 Description The device is a multiepitaxial mesa NPN Figure 1. Internal schematic diagram transistor mounted in TO-247 plastic package. I

 8.2. Size:101K  inchange semiconductor
 buv48a.pdf pdf_icon

BUV48AF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BUV47AF, BUV47AFI, BUV47AP, BUV47B, BUV47FI, BUV47I, BUV48, BUV48A, D667, BUV48AFI, BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T