BUV48AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV48AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV48AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV48AF даташит

 0.1. Size:217K  inchange semiconductor
 buv48afi.pdf pdf_icon

BUV48AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUV48AFI DESCRIPTION High Voltage Capability High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ulary suited for line-operated switc

 8.1. Size:109K  st
 buv48a.pdf pdf_icon

BUV48AF

BUV48A High voltage fast switching NPN power transistor Features High current capability Fast switching speed Applications Switching mode power supplies 3 Flyback and forward single transistor low power 2 1 converter TO-247 Description The device is a multiepitaxial mesa NPN Figure 1. Internal schematic diagram transistor mounted in TO-247 plastic package. I

 8.2. Size:101K  inchange semiconductor
 buv48a.pdf pdf_icon

BUV48AF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUV47AF, BUV47AFI, BUV47AP, BUV47B, BUV47FI, BUV47I, BUV48, BUV48A, D667, BUV48AFI, BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T