BUV48CI Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV48CI
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TOP3
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BUV48CI datasheet
buv48cfi.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUV48CFI DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and industrial applications from single and three-phase mains. Absolute maximum ratings(Ta=25
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