BUV48CI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV48CI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUV48CI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV48CI даташит

 8.1. Size:311K  st
 bux48b bux48c buv48b buv48c buv48bfi buv48cfi.pdf pdf_icon

BUV48CI

 8.2. Size:214K  inchange semiconductor
 buv48cfi.pdf pdf_icon

BUV48CI

isc Silicon NPN Power Transistor BUV48CFI DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Current Capability Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and industrial applications from single and three-phase mains. Absolute maximum ratings(Ta=25

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 buv48c.pdf pdf_icon

BUV48CI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUV47I, BUV48, BUV48A, BUV48AF, BUV48AFI, BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, 2SC5200, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54