BUV50 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV50

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV50

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV50 datasheet

 ..1. Size:50K  st
 buv50.pdf pdf_icon

BUV50

BUV50 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERISED AT 125oC APPLICATION SWITCHING REGULATORS 1 MOTOR CONTROL 2 DESCRIPTION The BUV50 is a Multiepitaxial planar NPN TO-3 transistor in TO-3 metal case. It s intented for use in high frequency and efficiency converters such

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 buv50.pdf pdf_icon

BUV50

isc Silicon NPN Power Transistor BUV50 DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V (Max.) @I = 10A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAM

Otros transistores... BUV48AFI, BUV48B, BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, 2N2222, BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60